Отправляет email-рассылки с помощью сервиса Sendsay
Открытая группа
21620 участников
Администратор Kazak

Важные темы:



Модератор GAMER

Активные участники:


←  Предыдущая тема Все темы Следующая тема →
пишет:

В Intel нашли способ ускорить компьютеры в тысячу раз|[p][img src="http://blogo-vod.ru/wp-content/uploads/2015/08/speed-360-300x169.jpg" width="200" height="aut

Intel представила энергонезависимую память 3D Xpoint, которая в тысячу раз быстрее, устойчивее по сроку службы по сравнению с чипами, выполненными по существующей технологии. Разработка памяти длилась 10 лет в сотрудничестве с компанией Micron Technology Inc.

Изобретение назвали «прорывом» в процессе компьютерной памяти с момента появления технологии NAND Flash в 1989 году.

Подробности механизма работы держатся в секрете. Разработчики лишь заявили, что инновационная память основана на перекрестной архитектуре — своего рода трехмерной «шахматной доске», где блоки памяти находятся на пересечении числовых и разрядных линий. Такое построение дает возможность «адресно» обращаться к необходимой ячейке, что обеспечивает более быстрый и эффективный процесс чтения и записи данных.

Читать полностью

Что такое тайминг оперативной памяти|

Оперативная память современного компьютера является памятью динамического характера (Dynamic RAM или DRAM), основным отличием от постоянной памяти (Read Only Memory или ROM) является необходимость непрерывной подачи питания для хранения информации. То есть ячейки оперативной памяти при соответствующей необходимости содержат данные до тех пор, пока на них подается электрический ток, тогда как постоянной памяти (например, флэш-карте) питание необходимо только для считывания, стирания или записывания информации. Микросхемы содержат ячейки памяти, представляющие собой конденсаторы, заряжающиеся при необходимости внесения о записи логической единицы, и разряжающиеся при внесении записи о логическом нуле.

Общий смысл работы динамической памяти можно упрощенно обрисовать так: ячейки организованны в форме двумерных матриц, доступ до одной из них осуществляется через указание адреса соответствующего столбца и строки. Выбор стробирующего импульса доступа к строке RAS (Row Access Strobe) и стробирующего импульса доступа к столбцу CAS (Acess Strobe) осуществляется изменением уровня напряжения с высокого на низкий.

Читайте дальше

Это интересно
0

27.04.2016 , обновлено  27.04.2016
Пожаловаться Просмотров: 602  
←  Предыдущая тема Все темы Следующая тема →


Комментарии временно отключены