Учёные из США предложили технологию создания транзисторов с потенциально лучшими характеристиками, чем у актуальных решений. Это может обеспечить рост производительности процессоров даже в эпоху «конца техпроцессов». Идею такого транзистора подсмотрели у квантово-каскадных лазеров и уже подали заявку на патент.

В 1971 году в журнале «Физика и техника полупроводников» советские физики Казаринов и Сурис в статье «Возможности усиления электромагнитных волн в полупроводниках со сверхрешеткой» высказали идею, что при проходе потока электронов сквозь гетерогенную структуру происходит усиление электромагнитных волн, что позволит генерировать лазерное излучение с небольшими затратами энергии. В таком «слоёном печенье» происходит усиление сигнала без проявления туннельных эффектов, что проще поддаётся управлению.

Группа учёных из Университета Пёрдью в штате Индиана предположила, что усилительный принцип переноса электронов через сверхрешётку также будет работать применительно к транзисторам, если сверхрешётку — «зебру» из чередующихся полупроводниковых материалов — поместить на пути движения потока электронов от одного затвора к другому. Так родилась концепция каскадного полевого транзистора CasFET.

Теоретически, транзистор CasFET будет работать с предельно малыми токами переключений состояния, что значительно повысит энергоэффективность прибора. Правда, учёные пока не сделали ни одного такого транзистора, чтобы изучить его характеристики на практике. Зато заявка на патент уже подана, а заинтересованные производители могут обращаться за консультациями.