Отправляет email-рассылки с помощью сервиса Sendsay

Мобильные гаджеты, техника и софт на АвтоПараде

Подписаться Бесплатная «Серебряная» новостная рассылка Подписчиков 31.391 RSS
←   Март 2002   →
 1
 2
 3
 4
 5
 6
 7
 8
 9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31


За последние 60 дней 9 выпусков (1-2 раза в неделю)


Сайт рассылки: http://auto-parad.ru/
Открыта: 05-02-2001

Автор
Георгий Базин

Статистика

31.391 подписчиков
-4 за неделю
←   Все выпуски   →

Мир компьютерных комплектующих. Взгляд изнутри


Служба Рассылок Subscribe.Ru
Мир компьютерных комплектующих. Взгляд изнутри.
 
Управление подпиской

В этом выпуске
Samsung отказалась поднимать цены на DRAM
Новые Pentium III-S Tualatin для двухпроцессорных систем
QDR SRAM - стандарты одобрены JEDEC
40х CD-RW540EKB привод от TEAC
Intel удалось невероятно уплотнить SRAM
Новые MCP-чипы от Samsung
20 Марта 2002, # 60
Добро пожаловать
в МИР КОМПЬЮТЕРНЫХ КОМПЛЕКТУЮЩИХ. Новости от производителей, IT изданий и техническая информация. ВЗГЛЯД ИЗНУТРИ компьютерной промышленности.

Сыграй на удачу!

Требуются азартные клиенты компании ASBIS Москва для игры в казино. Вознаграждение - фишками для игры, приятным обществом менеджеров по продажам ASBIS Москва, представителя Microsoft гарантируется.

Но это еще не все

Samsung отказалась поднимать цены на DRAM

Согласно сообщениям индустриальных источников, компания Samsung Electronics подтвердила, что не намерена повышать контрактные цены на чипы DRAM до конца марта. Цены Samsung на 128 Мбит чипы DRAM остановились примерно на отметке $5, соответственно, на 256 Мбит DRAM - на уровне $10. Остальные производители пока не объявили новых контрактных цен. Такая ситуация любопытна прежде всего тем, что в конце февраля многие производители DRAM предвещали увеличение своих контрактных цен.

Согласно сообщениям из Samsung, в настоящее время налицо превышение объемов поставляемой памяти над потребностями рынка. Иными словами, компания считает, что сейчас наступил момент перепроизводства. Самое время, считают в Samsung, оставить уровень цен на выгодном уровне и продержаться на нем весь третий квартал. В целом же в индустрии в настоящее время сложилось мнение, что Samsung не решилась поднять контрактные цены в связи с распространившимися слухами о том, что производители материнских плат и сопутствующей электроники не получили достаточного количества заказов во время выставки CeBIT 2002 в Ганновере. Иными словами, компания опасается взвинчивания цен без наличия должного спроса. Это запросто может привести к новому пикирующему падению цен на продукты памяти.

Подробности на DigiTimes.com

Новые Pentium III-S Tualatin для двухпроцессорных систем

Intel объявила о выпуске 800 МГц экономичных процессоров Pentium III-S Tualatin, выполненных с применением 0,13 мкм техпроцесса, для двухпроцессорных blade-серверов. По заявлениям представителей Intel, двухпроцессорные системы на таких чипах позволят повысить производительность на 63% по сравнению с однопроцессорными blade-серверами на процессорах Tualatin.

Новые процессоры Tualatin для двухпроцессорных систем - первые в этом классе с поддержкой 133 МГц памяти SDRAM, до 2 Гб. Чипы предназначены для эксплуатации в системах на чипсетах LE3 от ServerWorks, потребляют около 11,2 Вт каждый, и появятся в серверных линейках Dell Computer и Fujitsu-Siemens.

Подробности на Intel.com

QDR SRAM - стандарты одобрены JEDEC

Пять компаний - разработчиков стандарта Quad Data Rate (QDR) SRAM сегодня объявили о том, что JEDEC одобрила в качестве индустриальных стандартов архитектуры QDRII и Double Data Rate II (DDRII) SRAM. Новые стандарты JEDEC, по заявлению группы разработчиков - Cypress, IDT, Micron, NEC и Samsung, определяют структуру и расположение выводов для всех продуктов SRAM памяти групп QDRII и DDRII емкостью до 288 Мбит.

JEDEC стандартизировала 165-контактный fine-pitch ball-grid array (FBGA) корпус для будущих продуктов стандартов QDR памяти, что обеспечивает 40% уменьшение размеров чипа по сравнению с традиционным 209-контактным корпусом BGA или 100-контактным thin-quad flat-packs (TQFP) корпусом. Продукты статической (SRAM) памяти стандартов QDRII и DDRII поддерживают тактовые частоты до 333 МГц и предназначены для работы в устройствах стандартов OC192 (10 Гбит/с) и OC768 (40 Гбит/с). Помимо этого, в группе разработчиков QDR SRAM наметилось пополнение: компания Hitachi объявила желание присоединиться к QDR Group.

Подробности на SiliconStrategies.com

40х CD-RW540EKB привод от TEAC

TEAC объявила о выпуске нового внутреннего привода CD-RW540EKB с интерфейсом ATAPI, начало поставок которого ожидается уже в марте.

CD-RW540EKB обладает скоростной формулой 40/12/48, поддерживает технологию защиты буфера BURN-Proof, стандарт Mt Rainier. Время доступа к данным в режиме чтения - 72 мс, объем буфера - 8 Мб. Режимы работы привода: запись CD-R: 40х - 20х/32х - 20х/24х - 20х, Zone-CLV; запись CD-R: 20х/16х/8х/4х - CLV; запись CD-RW: 12х/10х/4х - CLV.Привод работает с дисками диаметром 80 мм и 120 мм, поддерживает технологию защиты буфера записи BURN-Proof, работает с файловым форматом UDF (Universal Disk Format). Интерфейс драйва - IDE (ATAPI).

Подробности на Teac.de

Intel удалось невероятно уплотнить SRAM

Применив технологию, которая в будущем году должна быть внедрена в массовое производство, Intel получила экспериментальные образцы микросхем памяти, содержащих 330 млн транзисторов. Полученные микросхемы SRAM (static RAM) имеют размер около 109 кв. мм и позволяют хранить 52 Мбит данных, что делает их элементами памяти с самой высокой плотностью размещения данных. Главное же - при создании этих чипов использовался 90-нм технологический процесс, а это доказывает, что Intel продолжает следовать закону Мура. Согласно этому закону число транзисторов, размещаемых в микросхеме, удваивается каждые полтора-два года - в основном благодаря все новым способам уменьшения размеров самих транзисторов.

Сегодня самые быстродействующие чипы изготавливаются по 130-нм технологии, то есть проводники на кристалле имеют ширину около 130 нм. Сжав элементы чипа до 90 нм, Intel сможет наполовину уменьшить размер процессоров или, что более вероятно, ввести в них новые компоненты. Коммерческое производство 130-нм микросхем началось в середине 2001 года; 90-нм чипы должны поступить в продажу будущим летом. Обычно экспериментальные образцы появляются примерно за год до начала коммерческого производства.

Подробности на ZDNet.ru

Новые MCP-чипы от Samsung

Samsung Electronics сообщила о начале поставок образцов новых микросхем высокой плотности в MCP (multi-chip package) упаковке, содержащих 128 Мб SDRAM памяти, 256 Мб NAND флэш -памяти и 32 Мб UtRAM памяти.

Чипы предназначены для использования в следующем поколении мобильных устройств: телефонов IMT-2000, цифровых камер и карманных ПК. Интегрированная SDRAM память работает на тактовой частоте 100 МГц, NAND флэш имеет 16-битную шину данных, UtRAM память имеет время выборки 85 нс и выполнена на упрощенных 1-Т ячейках, состоящих из единственного транзистора и единственного конденсатора. Все виды памяти имеют напряжение питания 1,8 В. Массовый выпуск новых чипов начнется в третьем квартале 2002 года.

Подробности на SamsungElectronics.com

Управление подпиской

Рассылка МИР КОМПЬЮТЕРНЫХ КОМПЛЕКТУЮЩИХ. ВЗГЛЯД ИЗНУТРИ приходит к Вам раз в неделю. Вы ее получаете, потому что зарегистрированы на http://subscribe.ru/catalog/comp.hard.original050288.

Вы можете сообщить своему коллеге о нашей рассылке, просто переслав ему один из выпусков, либо зарегистрировав его на странице рассылки.

Если вы что-то пропустили, загляните в архив рассылки.

2002 © С уважением, автор рассылки Гальяш Потапович
http://subscribe.ru/
E-mail: ask@subscribe.ru 		Отписаться
В избранное