Отправляет email-рассылки с помощью сервиса Sendsay
  Все выпуски  

Новый TMR-элемент может стать базой для 10 Гбит MRAM


Новый TMR-элемент может стать базой для 10 Гбит MRAM
2010-01-29 07:50
Японские исследователи сообщили о создании нового туннельного магниторезистивного элемента.

Новый TMR-элемент может стать базой для 10 Гбит MRAM
2010-01-29 07:50
Японские исследователи сообщили о создании нового туннельного магниторезистивного элемента.


В избранное