Отправляет email-рассылки с помощью сервиса Sendsay

RFpro.ru: Консультации по химии

Подписаться Бесплатная «Серебряная» новостная рассылка . Подписчиков 199 RSS
←   Январь 2018   →
 1
 2
 3
 4
 5
 6
 7
 8
 9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31


За последние 60 дней ни разу не выходила


Сайт рассылки: http://rusfaq.ru/issues/8/19/344
Открыта: 17-04-2009

Автор
Калашников О.А.

Статистика

199 подписчиков
0 за неделю
←   Все выпуски   →

RFpro.ru: Консультации по химии


РАССЫЛКИ ПОРТАЛА RFPRO.RU

Лучшие эксперты в разделе

Михаил Александров
Статус: Бакалавр
Рейтинг: 1654
∙ повысить рейтинг » 		SFResid
Статус: Мастер-Эксперт
Рейтинг: 0
∙ повысить рейтинг » 		Texur
Статус: 2-й класс
Рейтинг: 0
∙ повысить рейтинг »

∙ Химия

Номер выпуска:629
Дата выхода:18.01.2018, 12:15
Администратор рассылки:Roman Chaplinsky / Химик CH (Модератор)
Подписчиков / экспертов:22 / 15
Вопросов / ответов:3 / 3

Консультация # 188608: Здравствуйте! Прошу помощи в следующем вопросе: Как изменится скорость реакции: Fe2O3(к) + 3 СО(г) ↔ 2 Fe(к) + 3СО2(г) , если а) увеличить объем системы в 3 раза? б) увеличить давление в системе в 5 раз? ...
Консультация # 113910: составить уравнение реакции: Ag+H2SO4(конц)=...
Консультация # 185906: Здравствуйте! У меня возникли сложности с таким вопросом: Какая разница между понятиями «загрязнения» и «примеси» в полупроводниках? Требуется дать развернутый ответ с пояснениями. примерно на 2 листа 14 шрифтом. ...

Консультация # 188608:

Здравствуйте! Прошу помощи в следующем вопросе:

Как изменится скорость реакции:

Fe2O3(к) + 3 СО(г) ↔ 2 Fe(к) + 3СО2(г) ,
если
а) увеличить объем системы в 3 раза?
б) увеличить давление в системе в 5 раз?

Дата отправки: 07.01.2016, 17:45
Вопрос задал: eskimovisage1488 (Посетитель)
Всего ответов: 1
Страница онлайн-консультации »

Консультирует Roman Chaplinsky / Химик CH (Модератор):

Здравствуйте, eskimovisage1488!
Для начала разберёмся с молекулярностью реакции. Очевидно, что она практически никогда не соответствует таким коэффициентам.
Скорее всего, элементарным процессом как прямой так и обратной реакции является взаимодействие отдельных молекул газа с поверхностью твёрдых частиц. Таким образом реакция одномолекулярна по реагирующему газу и её скорость прямо пропорциональна давлению.
а) увеличение объёма в 3 раза уменьшит давление и скорость реакции в 3 раза
б) увеличение давления в 5 раз увеличит скорость реакции в 5 раз
При этом изменение давления одинаково влияет на скорость как прямой так и обратной реакции, не изменяя равновесие.

Консультировал: Roman Chaplinsky / Химик CH (Модератор)
Дата отправки: 07.01.2016, 18:50
Рейтинг ответа:

НЕ одобряю 0 одобряю!

Консультация # 113910:

составить уравнение реакции: Ag+H2SO4(конц)=

Дата отправки: 14.12.2007, 00:13
Вопрос задал: Бошняга Мария Васильевна
Всего ответов: 1
Страница онлайн-консультации »

Консультирует Roman Chaplinsky / Химик CH (Модератор):

Здравствуйте, Бошняга Мария Васильевна!
2Ag+2H2SO4(конц)=Ag2SO4+SO2+2H2O

Консультировал: Roman Chaplinsky / Химик CH (Модератор)
Дата отправки: 14.12.2007, 08:17
Рейтинг ответа:

НЕ одобряю 0 одобряю!

Консультация # 185906:

Здравствуйте! У меня возникли сложности с таким вопросом: Какая разница между понятиями «загрязнения» и «примеси» в полупроводниках? Требуется дать развернутый ответ с пояснениями. примерно на 2 листа 14 шрифтом.

Дата отправки: 26.04.2012, 03:29
Вопрос задал: Заречнева Вера Михайловна
Всего ответов: 1
Страница онлайн-консультации »

Консультирует Гордиенко Андрей Владимирович (Модератор):

Здравствуйте, Вера Михайловна!

Ответить на Ваш вопрос затруднительно, потому что если с понятием "примесь" всё более-менее ясно, то определения понятия "загрязнение" я, например, не встречал. Но на интуитивном уровне ответ примерно таков.

Важным свойством полупроводников является зависимость их электрического сопротивления от интенсивности внешнего энергетического воздействия: напряжённости электрического или магнитного поля, длины волны светового потока, температуры, давления и т. п., что позволяет использовать полупроводники для преобразования различных видов энергии в энергию электрического тока.

Возможно и обратное действие - преобразование энергии электрического тока в тепловую, световую или механическую энергию.

Используя эти и другие свойства полупроводников, получены различные микроэлектронные приборы, которые нашли широкое применение радио- и телевизионной аппаратуре, вычислительной и измерительной технике. Больш инство приборов изготавливают из пластин, вырезанных из полупроводниковых монокристаллических слитков. Слитки получают методом направленной кристаллизации расплава исходного материала, предварительно очищенного от посторонних примесей (химических загрязнений) и обычно легированного определённым химическим элементом заданной концентрации - примесью, или легирующей добавкой. ля того, чтобы все приборы, изготовленные из одного и того же монокристаллического слитка, имели одинаковые параметры, необходимо, чтобы легирующая примесь была равномерно распределена по всему объёму слитка.

Концентрация легирующей примеси обычно незначительна. Например, у германия она составляет один атом на 1010 ... 1012 атомов полупроводника. В связи с этим полупроводники делятся на собственные и примесные.

Собственные полупроводники не содержат легирующей примеси. К ним относятся высокой степени чистоты простые полупроводники: крем ний, германий, селен, теллур и др., а также многие полупроводниковые химические соединения: арсенид галлия, антимонид индия, арсенид индия и др.

Примесные полупроводники всегда содержат донорную или акцепторную примесь. В производстве полупроводниковых приборов примесные полупроводники используют чаще, поскольку в них свободные носители заряда образуются при более низких температурах, чем в собственных полупроводниках, и эти температуры сообразуются с рабочими температурами полупроводникового прибора.

Полупроводники, используемые для изготовления приборов, для обеспечения стабильности свойств последних должны иметь высокую степень чистоты. Например, содержание различных случайных примесей - загрязнений - в кремнии не должно превышать 1 · 10-11 %, в германии - 5 · 10-9 %, селене - 8 · 10-3 %, а для синтеза полупроводниковых соединений применяют селен с содержанием примесей не более 10-6 ... 10-5 %. Высокая степень чистоты полупроводниковых материалов достигается путём применения специальных технологий.

В частности, при изготовлении полупроводниковых приборов к поверхности кремниевых пластин предъявляются требования по минимальному содержанию различных загрязнений: органических, примесей металлов, механических частиц.

Загрязнения на поверхности пластин кремния могут быть органического и неорганического происхождения и их можно условно разделить по форме на жидкие и твердые пленочные загрязнения, частицы. Частицы и пленочные загрязнения могут состоять из ионов, атомов, молекул и т.д. Органические загрязнения присутствуют в остатках фоторезиста, различного вида жиров, смазки и масел, использующихся в производстве.

Загрязнения могут присутствовать в виде молекул, ионов, атомов, а также образовывать соединения между собой и подложкой. Атомные загрязнения представляют собой металлические пленки или частицы, например, электрохим ически осажденные пленки металлов, частицы материала. Ионные загрязнения представляют собой катионы или анионы из неорганических химических растворов.

Загрязнения могут быть разделены по типу их физико-химического взаимодействия с поверхностью полупроводника. Физические (или механические) загрязнения (пыль, волокна, абразивные и металлические частицы, органические загрязнения) связаны с поверхностью силами физической адсорбции. Наиболее опасными являются химические загрязнения, так как требуют большей энергии для удаления с поверхности, поскольку связаны с ней силами хемосорбции. В качестве примера химических загрязнений можно назвать оксидные и сульфидные пленки, катионы, атомы металлов и др.

Источники загрязнений различны. Их можно условно разделить на следующие категории:
1) рабочий персонал;
2) окружающая среда;
3) материалы;
4) оборудование;
5) технологические процессы.

Мне трудно судить, насколько данный ответ совпадает с ожиданиями автора вопроса. Но рискну всё же предложить его Вам. Вы можете изменить его, исходя из требуемого объёма в листах машинописного текста и своего понимания существа дела.

С уважением.

Консультировал: Гордиенко Андрей Владимирович (Модератор)
Дата отправки: 27.04.2012, 20:05
Рейтинг ответа:

НЕ одобряю 0 одобряю!

Оценить выпуск | Задать вопрос экспертам

главная страница  |  стать участником  |  получить консультацию
техническая поддержка

Дорогой читатель!
Команда портала RFPRO.RU благодарит Вас за то, что Вы пользуетесь нашими услугами. Вы только что прочли очередной выпуск рассылки. Мы старались. Пожалуйста, оцените его. Если совет помог Вам, если Вам понравился ответ, Вы можете поблагодарить автора - для этого в каждом ответе есть специальные ссылки. Вы можете оставить отзыв о работе портале. Нам очень важно знать Ваше мнение. Вы можете поближе познакомиться с жизнью портала, посетив наш форум, почитав журнал, который издают наши эксперты. Если у Вас есть желание помочь людям, поделиться своими знаниями, Вы можете зарегистрироваться экспертом. Заходите - у нас интересно!
МЫ РАБОТАЕМ ДЛЯ ВАС!
В избранное