В ноябре Qualcomm уже делала предварительный анонс своей новой однокристальной системы Snapdragon 835, во время которого поделилась минимальной информацией: речь идёт о чипе, производимом по 10-нм нормам FinFET, который получит поддержку технологии быстрой зарядки Quick Charge 4.0 (на 20 % выше скорость и на 30 % — эффективность подзарядки по сравнению с 3.0).

Несколько позже просочились слухи с дополнительными сведениями о Snapdragon 835: это чип с 8 ядрами CPU, графикой Adreno 540, поддержкой оперативной памяти LPDDR4X-1866 и флеш-памяти UFS 2.1, а также с модемом X16 LTE (скорость 4G — до 1 Гбит/с). Теперь благодаря утечке внутренних слайдов американской компании стали известны и другие подробности.

Для начала следует сказать, что благодаря новому техпроцессу чип Snapdragon 835, несмотря на целый ряд новшеств и улучшений, стал по площади кристалла и размеру упаковки заметно меньше своего предшественника Snapdragon 820. Это позволяет делать более компактные смартфоны или встраивать в устройства более ёмкие батареи.Узнать Больше