На конференции IEDM 2016 (IEEE International Electron Devices Meeting 2016) представители IBM из лаборатории компании в Цюрихе сделали доклад, в котором рассказали о "термометре" для снятия температурных показателей с поверхности микросхем, выпущенных с нормами менее 14 нм. Предложенный компанией метод создания тепловой карты чипа отличается высокой точностью. Он уже используется для оценки дизайна 10-нм чипов компании, включая измерение степени нагрева отдельных транзисторов или ячеек памяти. Температурная карта поверхности чипа снимается в течении двух минут. Это отличный инструмент для проектировщиков, который поможет быстро найти участки с повышенным нагревом и устранить недочёты. В качестве основы для инструмента используется штатный сканирующий атомно-силовой микроскоп. Дополнительно на щуп микроскопа монтируется излучатель тепла (инжектор) и сканирующий температурный датчик. Поток тепла нагревает участки неработающего чипа, над которыми скользит щуп, а температурный датчик измеряет поток тепла от нагретых участков. На этом этапе происходит создание карты распределения теплового сопротивления поверхностных участков и элементов на кристалле.

На втором этапе происходит сканирование работающего чипа, что вместе с заранее полученными данными о тепловом сопротивлении в кристалле позволяет построить карту тепловыделения рабочих элементов микросхемы. Разработчики считают данное изобретение настолько полезным при проектировании чипов, что готовятся лицензировать технологию для всех заинтересованных компаний.
Подробнее: https://www.overclockers.ru/news/list/06-12-2016

= =

НУ наконец то они будут проверять микросхемы на перегрев !